Категории
Биология
Охрана природы, Экология, Природопользование
Технология
Психология, Общение, Человек
Математика
Литература, Лингвистика
Менеджмент (Теория управления и организации)
Экономическая теория, политэкономия, макроэкономика
Химия
Философия
Педагогика
Финансовое право
История государства и права зарубежных стран
География, Экономическая география
Физика
Искусство, Культура, Литература
Компьютерные сети
Материаловедение
Авиация
Программирование, Базы данных
Бухгалтерский учет
История
Уголовное право
Экскурсии и туризм
Маркетинг, товароведение, реклама
Социология
Религия
Культурология
Экологическое право
Физкультура и Спорт, Здоровье
Теория государства и права
История отечественного государства и права
Микроэкономика, экономика предприятия, предпринимательство
Нероссийское законодательство
Международные экономические и валютно-кредитные отношения
Политология, Политистория
Биржевое дело
Радиоэлектроника
Медицина
Пищевые продукты
Конституционное (государственное) право зарубежных стран
Государственное регулирование, Таможня, Налоги
Транспорт
Жилищное право
Гражданское право
Гражданское процессуальное право
Законодательство и право
Прокурорский надзор
Геология
Административное право
Историческая личность
Банковское дело и кредитование
Архитектура
Искусство
Конституционное (государственное) право России
Экономико-математическое моделирование
Право
Компьютеры и периферийные устройства
Астрономия
Программное обеспечение
Разное
Уголовное и уголовно-исполнительное право
Налоговое право
Техника
Компьютеры, Программирование
История экономических учений
Здоровье
Российское предпринимательское право
Физкультура и Спорт
Музыка
Правоохранительные органы
Экономика и Финансы
Международное право
Военная кафедра
Охрана правопорядка
Сельское хозяйство
Космонавтика
Юридическая психология
Ценные бумаги
Теория систем управления
Криминалистика и криминология
Рефераты на заказ в Ростове-на-Дону
Заказать контрольную работу в Москве
20 задач по промышленной электроникеТуннельные диоды выполняются из полупроводников с большим количеством примесей (вырожденные полупроводники). Вольтамперная характеристика p-n перехода, выполненного на основе вырожденных полупроводников, имеет область с отрицательным сопротивлением, на котором при увеличении напряжения протекающий ток уменьшается. Элемент, обладающий отрицательным сопротивлением, не потребляет электрическую энергию, а отдает ее в цепь, т.е. является активным элементом цепи. Наличие падающего участка вольтмаперной характеристики позволяет применять туннельные диоды в качестве генераторов и усилителей электрических колебаний широкого диапазона частот, включая СВЧ, и в качестве высокоскоростных переключателей. Туннельные диоды выполняются из вырожденных полупроводников, главным образом из германия, кремния и арсенида галлия. Т.к. для туннельного перехода носителей сквозь потенциальный барьер p-n переход должен быть узким и резким, то p-n переходы туннельного диода изготавливают методом вплавления. Кроме того, применяется метод эпитаксильного наращивания вырожденных слоев, который также позволяет получить резкие переходы. Для уменьшения емкости (а, следовательно, для повышения верхней граничной частоты, на которой туннельный диод может работать как активный элемент с отрицательным сопротивлением) применяется метод получения p-n переходов малой площади. Основным параметром, характеризующим вольтамперную характеристику туннельного диода, является отрицательное дифференциальное сопротивление, характеризующее наклон падающего участка : Возможность применения p-n перехода для целей выпрямления обусловлено его свойством проводить ток в одном направлении (ток насыщения очень мал). В связи с применением выпрямительных диодов к их характеристикам и параметрам предъявляются следующие требования: а) малый обратный ток Выпрямительные диоды изготавливаются из германия (Ge) и кремния (Si) с большим удельным сопротивлением, причем Si является наиболее перспективным материалом. Кремниевые диоды имеют большие обратные напряжения и большие плотности тока в прямом направлении. Зависимость вольтамперной характеристики кремниевого диода от температуры показана на рис.2.1. Из рисунка 2.1 следует, что ход прямой ветви вольтамперных характеристик при изменении температуры изменяется незначительно. Это объясняется тем, что концентрация основных носителей заряда при изменении температуры практически почти не изменяется, т.к. примесные атомы ионизированы уже при комнатной температуре. Количество неосновных носителей заряда определяется температурой и поэтому ход обратной ветви вольтамперной характеристики сильно зависит от температуры, причем эта зависимость резко выражена для гермениевых диодов. Величина напряжения пробоя тоже зависит от температуры. Эта зависимость определяется видом пробоя p-n перехода. При электрическом пробое за счет ударной ионизации Начертить графики напряжений.(диоды считать идеальными). Типы диодов VD 3-КД226А, VD 4-КД226А, VD 5-ГД402А, VD 6-КС131А.Входное напряжение синусоидальное. Параметры диодов VD 3 VD 4,: U пр=1В, U обр.макс.=400 В, I пр.макс.=0,3 А, I обр.=
Коэффициент перед показывает, как изменяется ток коллектора I к при единичном изменении тока базы I б Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, т. е. ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом. Индикаторы газоразрядные, газонаполненные приборы для визуального воспроизведения информации. В И. г. используется главным образом свечение катодной области тлеющего разряда. Они имеют высокую надёжность, долговечность (до 10 000 ч), большую яркость (сотни - тысячи нит), малую потребляемую мощность. Различают И. г.: сигнальные, в которых информация представляется в виде точки или малой светящейся области (неоновые индикаторные лампы и индикаторы малых уровней напряжения); знаковые, в которых информация представляется в виде различных знаков, образуемых светящимися электродами, имеющими отдельные выводы; линейные (аналоговые и дискретные), в которых информация представляется в виде светящегося столбика (длина его пропорциональна силе тока, протекающего через прибор) или в виде светящейся точки (положение точки определяется числом импульсов, поданных на вход устройства, управляющего работой индикатора); матричные, в которых информация представляется в виде совокупности светящихся точек на плоском экране, состоящем из нескольких десятков тысяч газосветных ячеек, образующих матрицу из рядов и столбцов. Полупроводниковые индикаторы являются одним из видов знакосинтезирующих индикаторов (ЗСИ), под которыми понимаются приборы, где информация, предназначенная для зрительного восприятия, отображается с помощью одного или совокупности дискретных элементов (ГОСТ 25066-81). ППИ являются активными знакосинтезирующими индикаторами, в которых используется явление инжекционной электролюминесценции. Явление электролюминесценции в полупроводниковых материалах, т. е. излучение света рn переходом, было впервые обнаружено и исследовано в 1923 г. О. В. Лосевым. Дальнейшие исследования отечественных и зарубежных ученых в 60 — 70-х годах позволили исследовать и определить перечень полупроводниковых материалов, обладающих высокой эффективностью преобразования электрической энергии в световую. Полученные значения светотехнических параметров позволили создать ППИ, пригодные для практического применения. Излучение генерируется либо внутри полупроводникового элемента в одноступенчатом процессе излучательной рекомбинации электронов и дырок, либо в результате более сложных двухступенчатых процессов генерации инфракрасного излучения внутри полупроводникового элемента с последующим возбуждением внешнего слоя антистоксового люминофора. Из-за малого КПД второй способ люминесценции не получил широкого распространения при проектировании полупроводниковых индикаторов. Преимущество перед другими видами ЗСИ. Основными из них являются: во-первых, полная конструктивная и технологическая совместимость с интегральными микросхемами (т. е. совместимость управляющих напряжений ППИ с амплитудами логических уровней ИМС) и, во-вторых, возможность выпуска ППИ в виде ограниченного количества унифицированных модулей. Шифр 04 Задача 10 Вариант6 Дано: R =1кОм, С=3мкФ, на вход цепи подаются положительные импульсы t и=15мс. Определить тип фильтра и его граничную частоту, построить АЧХ, эпюру выходного напряжения. Схема фильтра: Требуется определить рабочий участок нагрузочной прямой, макс. значение амплитуды входного сигнала, значение коэффициента усиления по току, наибольшее амплитудное значение тока входного сигнала, режим работы каскада, возможный диапазон КПД и нелинейных искажений, определить нормальность работы транзистора; нарисовать эпюру выходного напряжения, если входное напряжение-синусоидальное. Принимаем R к= 0,68 Ом,тогда Iк= U к/ R к=9/0,68=13,2 А. Через точку Iк=13,2 А и точку U кэ=9 В проводим нагрузочную прямую. Рабочий участок нагрузочной прямой отрезок АВ. Максимальная амплитуда входного сигнала: U кэ m max =8,1-2,5/2=2,8В Коэффициент усиления по току: = h 21э = Резисторы R 1, R 2 представляют собой делитель напряжения, создающий на базе транзистора U б.0 Предельно допустимые значения Рк равно Рк max = 30 Вт, т.е. режим работы транзистора считается нормальным,т.к. выполняется условие: Рк Рк max Мощность выходного сигнала: Рвых.= Определить показания вольтметра PV 3, определить какую математическую операцию может выполнять схема.
Аргумент 1 cos( t) . Нарисовать принципиальную электрическую схему на базе операционного усилителя и эпюры выходного напряжения. Принимаем аргумент 1 cos ( t )= U 1, тогда схема имеет вид: Проанализировать работу схемы при выходе из строя стабилитрона VD2 . Однополупериодный выпрямитель преобразует переменный ток, в ток одного направления. RC -фильтр при включении конденсатора параллельно нагрузке сглаживает пульсации выпрямленного напряжения. Параметрический стабилизатор на основе стабилитрона, используя его нелинейный характер , не даёт напряжению возрасти выше напряжения стабилизации, которое зависит только от типа стабилитрона и не изменяется при изменении тока протекающего через стабилитрон. При выходе из строя, стабилитрон прекращает выполнять функцию ограничителя в источнике питания, пульсации сглаживаются только RC -фильтром.
Выполнить данную лог. функцию на базе мультиплексора К155КП7. Логическая функция: y = f ( x 1, x 2, x 3)= x 1* x 2* x 3 условно-графическое обозначение логического элемента ЗИ Таблица истинности логического элемента ЗИ
Нарисовать условно-графическое обозначение микросхемы, определить логические уровни на выходах. Условно-графическое обозначение и функциональная схема микросхемы К155ИД1 Предназначена для преобразования двоично-десятичного кода в десятичный. Дешифратор состоит из логических ТТЛ-схем и десяти высоковольтных транзисторов. На входы X1-X4 поступают числа от 0 до 9 в двоичном коде, при этом открывается соответствующий выходной транзистор. Номер выбранного выхода соответствует десятичному эквиваленту входного кода. Коды, эквивалентные числам от 10 до 15, дешифратором на выходе не отображаются. Содержит 83 интегральных элемента. Уровни сигналов на входах дешифратора
|
оценка стоимости транспортных средств в Курске
оценка морских судов в Твери
Подобные работы
Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания
echo "Исходные данные: n коэффициент усиления по напряжению - 80; n верхняя граничная частота - 10 кГц ; n нижняя граничная частота - 300 Гц; n параметры нагрузки : - сопротивление - 200 Ом, емкость -
Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
echo "Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во
Расчет системы общего освещения цеха
echo "Распределение освещенности по площади поля существенно зависит от типа светильника и отношения: = "; echo ''; echo " . Для заданного типа светильника С35ДРЛ величина = ( 0,6 1,0 ). Расстояние ме
Термоэмиссионный преобразователи энергии
echo "Достоинства ТЭП - большой ресурс, относительно высокий КПД и хорошие удельные энергетические, а также массогабаритные показатели. В настоящее время выполняют ЯРТЭП по интегральной схеме совместн
Волоконно-оптические системы передачи
echo "Выполнил: студент I курса, МРМ, Р-61, Кудрявец И.Г. Проверил: Катунин Г.П. Новосибирск – 2006 Содержание 1. Введение 2-6 стр. 2. Основная часть 7- 20 стр. 2.1 История развития линий связи 7-8 ст
Реконструкция сельской АТС на базе цифровой станции SI-2000
echo "Необходимо было перейти к интеллектуальной платформе для введения широкого спектра нетрадиционных услуг с возможностью их модификации под индивидуальные требования клиента /1/. Внедрение услуг и
20 задач по промышленной электронике
echo "Туннельные диоды выполняются из полупроводников с большим количеством примесей (вырожденные полупроводники). Вольтамперная характеристика p-n перехода, выполненного на основе вырожденных полупро
Диагностика отказов элементов и устройств автоматического управления
echo "Дефекты. ..............................................................................7 3. Обзор неразрушающих методов испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. .........................